產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計(jì)資源：IRF7707 Saber Model IRF7707 Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：100
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類(lèi)型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：7A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 7A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：47nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：2361pF @ 15V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP