產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計(jì)資源:IRF7726TR Saber Model IRF7726TR Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:HEXFET®
包裝:帶卷(TR)
FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Ta)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 7A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):69nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2204pF @ 25V
功率 - 最大值:1.79W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:Micro8?
IRF7726TR
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| IRF7726TRPBF | 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):7A 漏源電壓(Vdss):30V 柵源極閾值電壓:2.5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:26mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.79W 類(lèi)型:P溝道 | Infineon(英飛凌) | 128.11 Kbytes | 共10頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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