設(shè)計(jì)資源：IRF7756 Saber Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：4.3A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：18nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1400pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP
其它名稱：IRF7756TRPBF-NDIRF7756TRPBFTR