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典型關斷延遲時間25 ns

典型接通延遲時間7.2 ns

典型柵極電荷@Vgs9 nC V @ 4.5

典型輸入電容值@Vds861 pF V @ 25

安裝類型表面貼裝

寬度4.4mm

封裝類型TSSOP

尺寸3 x 4.4 x 1mm

引腳數(shù)目8

最低工作溫度-55 °C

最大功率耗散1000 mW

最大柵源電壓±12 V

最大漏源電壓30 V

最大漏源電阻值0.03

最大連續(xù)漏極電流4.6 A

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數(shù)目2

類別功率 MOSFET

通道模式增強

通道類型N

配置雙、雙源

長度3mm

高度1mm