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典型關(guān)斷延遲時間267 ns
典型接通延遲時間9.8 ns
典型柵極電荷@Vgs22 nC V @ 4.5
典型輸入電容值@Vds1984 pF V @ 6
安裝類型表面貼裝
寬度4.4mm
封裝類型TSSOP
尺寸3 x 4.4 x 1mm
引腳數(shù)目8
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散1000 mW
最大柵源電壓±8 V
最大漏源電壓12 V
最大漏源電阻值0.025
最大連續(xù)漏極電流5.5 A
最高工作溫度+150 °C
每片芯片元件數(shù)目2
類別功率 MOSFET
通道模式增強
通道類型P
配置雙、雙源
長度3mm
高度1mm
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