封裝/外殼：MG-WDSON-8
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：75V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：89A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.7V @ 150μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：186nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：6504pF @ 25V
功率耗散（最大值）：96W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5.7 毫歐 @ 53A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：DirectFET? Isometric ME
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：89 A
最大漏源電壓：75 V
最大漏源電阻值：5.7 m0hms
最大柵閾值電壓：3.7V
最小柵閾值電壓：2.1V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：ME
引腳數(shù)目：6+Tab
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：96 W
正向跨導(dǎo)：154S
正向二極管電壓：1.2V
最低工作溫度：-55 °C
尺寸：6.35 x 5.05 x 0.53mm
每片芯片元件數(shù)目：1
寬度：5.05mm
系列：DirectFET
典型柵極電荷@Vgs：124 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：6504 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：60 ns
典型接通延遲時(shí)間：18 ns
最高工作溫度：+150 °C
高度：0.53mm
長度：6.35mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs