標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 陣列
系列:HEXFET®
包裝:帶卷(TR)
FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.7A,2.2A
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 2.7A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):400pF @ 15V
功率 - 最大值:960mW
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP
其它名稱(chēng):IRF5851TRPBF-NDIRF5851TRPBFTR
IRF5851TRPBF
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| IRF5851TRPBF | Dual N and P Channel MOSFET | IRF[International Rectifier] | 255.64 Kbytes | 共14頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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