產(chǎn)品培訓模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設計資源：IRF5803TR Saber Model IRF5803TR Spice Model
標準包裝：3,000
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3.4A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：112 毫歐 @ 3.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：37nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1110pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）
其它名稱：IRF5803TRPBF-NDIRF5803TRPBFTR