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典型關(guān)斷延遲時(shí)間62 ns

典型接通延遲時(shí)間8.2 ns

典型柵極電荷@Vgs6.4 nC V @ 4.5

典型輸入電容值@Vds650 pF V @ 16

安裝類型表面貼裝

寬度1.5mm

封裝類型TSOP

尺寸3 x 1.5 x 0.9mm

引腳數(shù)目6

最低工作溫度-55 °C

最大功率耗散960 mW

最大柵源電壓±12 V

最大漏源電壓20 V

最大漏源電阻值0.09

最大連續(xù)漏極電流2.9 A

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數(shù)目2

類別功率 MOSFET

通道模式增強(qiáng)

通道類型P

配置雙、雙漏極、雙源

長(zhǎng)度3mm

高度0.9mm