封裝/外殼：TSOP6L
FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：3.8A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：98 毫歐 @ 3.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：17nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：511pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
通道類型：P
最大連續(xù)漏極電流：3.8 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：98 m0hms
最大柵閾值電壓：2.5V
最小柵閾值電壓：1V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：TSOP
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：6
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：2000 mW
長(zhǎng)度：3mm
高度：0.9mm
系列：HEXFET
尺寸：3 x 1.5 x 0.9mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：11 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：511 pF@ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：90 ns
典型接通延遲時(shí)間：11 ns
寬度：1.5mm
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+150 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs