FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3.8A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：17nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：511pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：98 毫歐 @ 3.8A，10V
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）
封裝/外殼：TSOP6L
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs