設(shè)計資源：IRF5810TR Saber Model IRF5810TR Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.9A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：90 毫歐 @ 2.9A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：9.6nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：650pF @ 16V
功率 - 最大值：960mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP
其它名稱：IRF5810TRPBF-NDIRF5810TRPBFTR