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IPU80R2K8CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO251-3

RoHS：Y

技術(shù)：Si

安裝風(fēng)格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：800V

Id-連續(xù)漏極電流：1.9A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：2.4Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.1V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：12nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：42W

通道模式：Enhancement

封裝：Tube

高度：6.22mm

長度：6.73mm

系列：CoolMOSCE

晶體管類型：1N-Channel

寬度：2.38mm

下降時間：18ns

MXHTS：85412999

上升時間：15ns

典型關(guān)閉延遲時間：72ns

典型接通延遲時間：25ns

商標(biāo)名：CoolMOS

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPU80R2K8CE

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPU80R2K8CE	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2438.4 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPU80R2K8CE	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	247.7 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPU80R2K8CEAKMA1	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3	Infineon Technologies	1.15 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
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IPU80R2K8CEBKMA1	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3	Infineon Technologies	1.15 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
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