玄幻小说排行榜完本,《完美世界》txt全集,完美世界txt全集下载

IPU80R1K4CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO251-3

技術：Si

安裝風格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：800V

Id-連續(xù)漏極電流：3.9A

Rds On-漏源導通電阻：1.2Ohms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.1V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：23nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：63W

通道模式：Enhancement

封裝：Tube

高度：6.22mm

長度：6.73mm

系列：CoolMOSCE

晶體管類型：1N-Channel

寬度：2.38mm

下降時間：12ns

MXHTS：85412999

上升時間：15ns

典型關閉延遲時間：72ns

典型接通延遲時間：25ns

商標名：CoolMOS

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPU80R1K4CE

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPU80R1K4CE	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2437.24 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPU80R1K4CE	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	309.31 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPU80R1K4CEAKMA1	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3	Infineon Technologies	1.17 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPU80R1K4CEBKMA1	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3	Infineon Technologies	1.17 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買