遮天辰东小说,盗墓笔记有声小说

IPU60R1K0CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO251-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：1000.0m?

IDpuls max：12.0A

VDS max：600.0V

ID max：4.3A

Package：IPAK (TO-251)

Rth：3.41K/W

QG：13.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.28

Ptot max：37.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPU60R1K0CE

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPU60R1K0CE	600V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1557.01 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R1K0CE	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	247.69 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPU60R1K0CEAKMA1	MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3	Infineon Technologies	1.52 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R1K0CEAKMA2	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.46 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R1K0CEAKMA2	MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3	Infineon Technologies	1.52 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R1K0CEAKMA2	MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3	Infineon Technologies	1.52 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R1K0CEBKMA1	MOSFET N-CH 600V TO-251-3	Infineon Technologies	1.52 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R1K0CEBKMA1	MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251	Infineon Technologies	1.52 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買