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產(chǎn)品種類MOSFET

晶體管極性N-Channel

汲極/源極擊穿電壓25 V

閘/源擊穿電壓+/- 20 V

漏極連續(xù)電流50 A

電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）0.0051 Ohms

配置Single

最大工作溫度+ 175 C

安裝風(fēng)格Through Hole

封裝 / 箱體TO-251

封裝Tube

下降時(shí)間4.6 ns

最小工作溫度- 55 C

功率耗散83 W

上升時(shí)間7.2 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間29 ns