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IPU04N03LBG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Rds On-漏源導通電阻:6 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:115 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:IPAK-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:6 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:10 ns

工廠包裝數(shù)量:1500

典型關閉延遲時間:43 ns

典型接通延遲時間:14 ns

介紹圖IPU04N03LBG
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
IPU04N03LBGOptiMOS??2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網(wǎng)417.75 Kbytes共12頁IPU04N03LBG的PDF文件地址IPB05N03LB,IPD09N03LBG,IPP10N03LB,IPUH6N03LB,BSC020N025SG,IPB06N03LAG,IPD10N03LAG,IPP11N03LA,BSC024N025S,IPB06N03LB IPU04N03LBG的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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