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IPT60R028G7
規(guī)格信息:

封裝/外殼:PG-HSOF-8

Packing Type:TAPE & REEL

Moisture Level:1

RDS (on) max:28.0m?

IDpuls max:245.0A

VDS max:600.0V

ID max:75.0A

Package:TO-Leadless (HSOF-8)

Rth:0.32K/W

QG:123.0nC

Budgetary Price ?€/1k:7.71

Ptot max:391.0W

Polarity:N

Qgd:44.0nC

Pin Count:8.0Pins

Operating Temperature min max:-55.0°C 150.0°C

RthJA max:62.0K/W

Mounting:SMT

VGS(th) min max:3.0V 4.0V

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IPT60R028G7
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IPT60R028G7XTMA1MOSFET HIGH POWER NEWInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.16 Mbytes共14頁IPT60R028G7XTMA1的PDF文件地址 IPT60R028G7XTMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IPT60R028G7XTMA1MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.17 Mbytes共14頁IPT60R028G7XTMA1的PDF文件地址 IPT60R028G7XTMA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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