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IPU50R2K0CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO251-3

安裝風(fēng)格：ThroughHole

Vds-漏源極擊穿電壓：500V

高度：6.22mm

長(zhǎng)度：6.73mm

寬度：2.38mm

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：2000.0m?

IDpuls max：6.1A

VDS max：500.0V

ID max：2.4A

RthJC max：5.7 K/W

QG (typ @10V)：6.0 nC

Package：IPAK (TO-251)

Budgetary Price ?€/1k：0.2

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：22.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：2.5 V 3.5 V

Mounting：THT

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPU50R2K0CE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPU50R2K0CE	500V CoolMOSa?￠ CE Power MOSFET	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1164.99 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPU50R2K0CE	500V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1642.07 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPU50R2K0CE	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	246.86 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPU50R2K0CEAKMA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.54 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPU50R2K0CEAKMA1	MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251	Infineon Technologies	1.61 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPU50R2K0CEBKMA1	MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251	Infineon Technologies	1.61 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPU50R2K0CEBKMA1	MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3	Infineon Technologies	1.61 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購(gòu)買