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IPU60R2K1CE
規(guī)格信息：

封裝形式Package：TO-251

極性Polarity：N-CH

漏源極擊穿電壓VDSS：600V

連續(xù)漏極電流ID：2.3A

封裝/外殼：PG-TO251-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：2100.0m?

IDpuls max：6.0A

VDS max：600.0V

ID max：2.3A

Package：IPAK (TO-251)

Rth：5.6K/W

QG：6.7nC

Budgetary Price ?€/1k：0.2

Ptot max：22.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：62.0K/W

Mounting：THT

RthJC max：5.6K/W

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無鉛情況/RoHs：否

IPU60R2K1CE

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPU60R2K1CE	Very high commutation ruggedness	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2280.68 Kbytes	共16頁	產(chǎn)品購買
IPU60R2K1CE	600V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1269.06 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R2K1CE	600V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1269.06 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R2K1CE	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	247.81 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPU60R2K1CE_16	600V CoolMOS?a CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1269.06 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R2K1CEAKMA1	MOSFET	Infineon Technologies	1.16 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPU60R2K1CEAKMA1	CONSUMER	Infineon Technologies	1.23 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R2K1CEBKMA1	MOSFET N-CH 600V TO-251-3	Infineon Technologies	1.23 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPU60R2K1CEBKMA1	MOSFET N-CH 600V 2.3A TO251-3	Infineon Technologies	1.23 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買