封裝/外殼:PG-TO251-3
安裝風(fēng)格:ThroughHole
通道數(shù)量:1Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600V
Id-連續(xù)漏極電流:7.3A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:540mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5V
Vgs - 柵極-源極電壓:20V
Qg-柵極電荷:20.5nC
最小工作溫度:-55C
最大工作溫度:+150C
配置:Single
Pd-功率耗散:63W
通道模式:Enhancement
高度:6.22mm
長(zhǎng)度:6.73mm
系列:XPU60R600
晶體管類型:1N-Channel
寬度:2.38mm
下降時(shí)間:13ns
上升時(shí)間:9ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:80ns
典型接通延遲時(shí)間:12ns
Packing Type:TUBE
RDS (on) max:600.0m?
IDpuls max:19.0A
VDS max:600.0V
ID max:7.3A
Package:IPAK (TO-251)
Rth:2.0K/W
QG:20.5nC
Budgetary Price ?€/1k:0.37
Operating Temperature min:-55.0°C
Ptot max:63.0W
Polarity:N
RthJA max:62.0K/W
VGS(th) min max:2.5V 3.5V
無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
IPU60R600C6
| 型號(hào) | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁(yè)數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號(hào) | 第一頁(yè)預(yù)覽 | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPU60R600C6 | Material Content Data Sheet | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 32.87 Kbytes | 共1頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| IPU60R600C6 | Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 1074.31 Kbytes | 共15頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| IPU60R600C6 | isc N-Channel MOSFET Transistor | ISC[Inchange Semiconductor Company Limited] | 320.41 Kbytes | 共2頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| IPU60R600C6_15 | Material Content Data Sheet | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 32.87 Kbytes | 共1頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| IPU60R600C6AKMA1 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3 | Infineon Technologies | 1.44 Mbytes | 共15頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| IPU60R600C6BKMA1 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 | Infineon Technologies | 1.44 Mbytes | 共15頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 | ||||
| IPU60R600C6BKMA1 | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3 | Infineon Technologies | 1.44 Mbytes | 共15頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
關(guān)注官方微信

天天IC網(wǎng)由深圳市四方好訊科技有限公司獨(dú)家運(yùn)營(yíng)
天天IC網(wǎng) ( www.meandmyfour.com ) 版權(quán)所有?2014-2025 粵ICP備15059004號(hào)