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IPB65R660CFD
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO263-3

RoHS：Y

技術(shù)：Si

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650V

Id-連續(xù)漏極電流：6A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：594mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：3.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：22nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：62.5W

通道模式：Enhancement

封裝：CutTape

高度：4.4mm

長(zhǎng)度：10mm

系列：CoolMOSCFD2

晶體管類型：1N-Channel

寬度：9.25mm

下降時(shí)間：10ns

MXHTS：85412999

上升時(shí)間：8ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40ns

典型接通延遲時(shí)間：9ns

商標(biāo)名：CoolMOS

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IPB65R660CFD

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB65R660CFD	650V CoolMOS CFD Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	3951.5 Kbytes	共20頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB65R660CFD	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	4469.97 Kbytes	共21頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB65R660CFD	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	189.21 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB65R660CFDA	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2342.02 Kbytes	共15頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB65R660CFDAATMA1	MOSFET N-CH TO263-3	Infineon Technologies	1.95 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB65R660CFDAATMA1	MOSFET N-Ch 650V 6A D2PAK-2	Infineon / IR	2.64 Mbytes	共14頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB65R660CFDATMA1	MOSFET N-CH 650V 6A TO263	Infineon Technologies	4.36 Mbytes	共21頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IPB65R660CFDATMA1	MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK	Infineon Technologies	4.36 Mbytes	共21頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)