不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1100pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：104.2W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：310 毫歐 @ 4.4A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PG-TO263-3
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11.4A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 400μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：41nC @ 10V
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：11.4A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：280mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：3.5V
Vgs - 柵極-源極電壓：20V
Qg-柵極電荷：41nC
最小工作溫度：-55C
最大工作溫度：+150C
配置：Single
Pd-功率耗散：104.2W
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：CoolMOS
封裝：CutTape
高度：4.4mm
長度：10mm
系列：CoolMOSCFD2
晶體管類型：1N-Channel
寬度：9.25mm
下降時(shí)間：7ns
上升時(shí)間：7.5ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45ns
典型接通延遲時(shí)間：11ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs