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IPA80R650CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO220-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：650.0m?

IDpuls max：24.0A

VDS max：800.0V

ID max：4.5A

Package：TO-220 FullPAK

Rth：3.8K/W

QG：45.0nC

Budgetary Price ?€/1k：1.02

Ptot max：33.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：80.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：2.1V 3.9V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPA80R650CE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買
IPA80R650CE	High peak current capability	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1073.25 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPA80R650CE	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	261.04 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPA80R650CEXKSA1	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220	Infineon Technologies	1.43 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPA80R650CEXKSA2	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.16 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購(gòu)買
IPA80R650CEXKSA2	MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F	Infineon Technologies	1.43 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購(gòu)買