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IPA80R1K4CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO220-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：1400.0m?

IDpuls max：12.0A

VDS max：800.0V

ID max：2.8A

Package：TO-220 FullPAK

Rth：4.0K/W

QG：23.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.67

Ptot max：31.0W

Polarity：N

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-40.0°C 150.0°C

RthJA max：80.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：2.1V 3.9V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPA80R1K4CE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPA80R1K4CE	High peak current capability	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1053.3 Kbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPA80R1K4CE	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	260.99 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPA80R1K4CEXKSA1	MOSFET N-CH 800V TO-220-3	Infineon Technologies	1.23 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPA80R1K4CEXKSA1	MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220	Infineon Technologies	1.23 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPA80R1K4CEXKSA2	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.17 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買
IPA80R1K4CEXKSA2	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220	Infineon Technologies	1.23 Mbytes	共15頁	產(chǎn)品購買