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IPA65R400CE
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO220-3

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：400.0m?

IDpuls max：30.0A

VDS max：650.0V

ID max：15.1A

Package：TO-220 FullPAK

Rth：4.0K/W

QG：39.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.35

Ptot max：31.0W

Polarity：N

Qgd：20.0nC

Pin Count：3.0Pins

Operating Temperature min max：-55.0°C 150.0°C

RthJA max：80.0K/W

Mounting：THT

VGS(th) min max：2.5V 3.5V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPA65R400CE

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPA65R400CE	650V CoolMOSa?￠ CE Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	906.81 Kbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPA65R400CE	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	260.79 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPA65R400CEXKSA1	MOSFET CONSUMER	Infineon Technologies	1.72 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPA65R400CEXKSA1	MOSFET N-CH 650V TO220	Infineon Technologies	1.72 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買
IPA65R400CEXKSA1	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：15.1A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：3.5V @ 320uA 漏源導(dǎo)通電阻：400mΩ @ 3.2435A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	1.72 Mbytes	共14頁	產(chǎn)品購買