不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1850pF @ 100V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：34W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 7.3A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：PG-TO220-3
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：17.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 730μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：68nC @ 10V
安裝風(fēng)格：ThroughHole
通道數(shù)量：1Channel
晶體管極性：N-Channel
Id-連續(xù)漏極電流：17.5A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：190mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：4V
Vgs - 柵極-源極電壓：30V
Qg-柵極電荷：68nC
配置：Single
Pd-功率耗散：34W
商標名：CoolMOS
封裝：Tube
高度：16.15mm
長度：10.65mm
系列：CoolMOSCFD2
晶體管類型：1N-Channel
寬度：4.85mm
下降時間：6.4ns
上升時間：8.4ns
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs