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IPA60R520C6
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO220-3

RoHS：Y

技術(shù)：Si

安裝風(fēng)格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：600V

Id-連續(xù)漏極電流：8.1A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：470mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：23.4nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：29W

通道模式：Enhancement

封裝：Tube

高度：16.15mm

長度：10.65mm

系列：CoolMOSC6

晶體管類型：1N-Channel

寬度：4.85mm

下降時間：14ns

MXHTS：85412999

上升時間：10ns

典型關(guān)閉延遲時間：85ns

典型接通延遲時間：13ns

商標名：CoolMOS

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPA60R520C6

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPA60R520C6	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1781.79 Kbytes	共17頁	產(chǎn)品購買
IPA60R520C6_14	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1113.37 Kbytes	共17頁	產(chǎn)品購買
IPA60R520C6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP	Infineon Technologies	1.83 Mbytes	共17頁	產(chǎn)品購買
IPA60R520C6XKSA1	PFET, 8.1A I(D), 600V, 0.52OHM,	Infineon Technologies	1.83 Mbytes	共17頁	產(chǎn)品購買