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IPA60R380C6 PDF文件_規(guī)格信息

IPA60R380C6
規(guī)格信息：

RoHS：符合 RoHS

31 W：Pd - 功率消耗

安裝風(fēng)格：Through Hole

封裝/外殼：PG-TO220-3

系列：IPA60R380

品牌：InFineon Technologies

下降時間：9 ns

最低工作溫度：- 55 C

上升時間：10 ns

標準包裝數(shù)量：500

晶體管極性：N-Channel

公司名稱：CoolMOS

標準斷開延遲時間：110 ns

Vds - 漏-源擊穿電壓：600 V

Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：20 V

Id - C連續(xù)漏極電流：10.6 A

Rds On - 漏-源電阻：380 m0hms

Vgs th - 門源門限電壓：3 V

32 nC：Qg - 閘極充電

最高工作溫度：+ 150 C

通道數(shù)量：1Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：600V

Id-連續(xù)漏極電流：10.6A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：340mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5V

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

Qg-柵極電荷：32nC

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：31W

通道模式：Enhancement

封裝：Tube

高度：16.15mm

長度：10.65mm

晶體管類型：1N-Channel

寬度：4.85mm

典型關(guān)閉延遲時間：110ns

典型接通延遲時間：15ns

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IPA60R380C6

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPA60R380C6	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2068.66 Kbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPA60R380C6	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1411.81 Kbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPA60R380C6	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	316.77 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPA60R380C6_14	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	1411.81 Kbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPA60R380C6XKSA1	MOSFET N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6	Infineon Technologies	1.37 Mbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPA60R380C6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP	Infineon Technologies	1.37 Mbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPA60R380C6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP	Infineon Technologies	1.37 Mbytes	共19頁	產(chǎn)品購買

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