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IPA65R190E6
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:20.2 A

Rds On-漏源導通電阻:190 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:73 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:34 W

配置:Single

商標名:CoolMOS

封裝:Tube

高度:16.15 mm

長度:10.65 mm

系列:CoolMOS E6

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.85 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:10 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:11 ns

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:112 nS

零件號別名:IPA65R190E6XKSA1 IPA65R19E6XK SP000863904

單位重量:6 g

IPA65R190E6

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPA65R190E6	650V CoolMOSa?￠ E6 Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	2217.7 Kbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
IPA65R190E6	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	316.52 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPA65R190E6XKSA1	MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220	Infineon Technologies	2.30 Mbytes	共19頁	產(chǎn)品購買
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