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IPA65R660CFD
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:660 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:22 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:27.8 W

配置:Single

商標(biāo)名:CoolMOS

封裝:Tube

高度:16.15 mm

長度:10.65 mm

系列:CoolMOS CFD2

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.85 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

下降時(shí)間:10 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:8 nS

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40 nS

零件號(hào)別名:IPA65R660CFDXKSA1 IPA65R66CFDXK SP000838284

單位重量:6 g

IPA65R660CFD

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IPA65R660CFD	650V CoolMOS CFD Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	3951.5 Kbytes	共20頁	產(chǎn)品購買
IPA65R660CFD	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	4469.97 Kbytes	共21頁	產(chǎn)品購買
IPA65R660CFD	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	269.89 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IPA65R660CFDXKSA1	MOSFET N-CH 650V 6A TO220	Infineon Technologies	4.36 Mbytes	共21頁	產(chǎn)品購買
IPA65R660CFDXKSA1	MOSFET N-CH 650V 6A TO220	Infineon Technologies	4.36 Mbytes	共21頁	產(chǎn)品購買
IPA65R660CFDXKSA2	MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther	Infineon Technologies	4.36 Mbytes	共21頁	產(chǎn)品購買
IPA65R660CFDXKSA2	MOSFET N-CH 700V 6A TO220	Infineon Technologies	4.36 Mbytes	共21頁	產(chǎn)品購買

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