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FQPF8N80C
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Id-連續(xù)漏極電流:8 A

Rds On-漏源導通電阻:1.55 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:59 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:QFET

封裝:Tube

高度:16.07 mm

長度:10.36 mm

系列:FQPF8N80C

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:4.9 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導 - 最小值:5.6 S

下降時間:70 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:110 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:65 ns

典型接通延遲時間:40 ns

零件號別名:FQPF8N80C_NL

單位重量:2.270 g

介紹圖FQPF8N80C
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
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FQPF8N80CYDTUMOSFET N-CH 800V 8A TO-220FON SemiconductorON Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)1.24 Mbytes共13頁FQPF8N80CYDTU的PDF文件地址 FQPF8N80CYDTU的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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