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FQPF8N60C PDF文件_規(guī)格信息

FQPF8N60C
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:7.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:48 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:16.3 mm

長(zhǎng)度:10.67 mm

系列:FQPF8N60C

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

類(lèi)型:MOSFET

寬度:4.7 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:8.7 S

下降時(shí)間:64.5 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:60.5 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:81 ns

典型接通延遲時(shí)間:16.5 ns

零件號(hào)別名:FQPF8N60C_NL

單位重量:2.270 g

FQPF8N60C

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQPF8N60C	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1303.67 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQPF8N60C	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	927.42 Kbytes	共10頁(yè)	STP4NM60,FQAF19N60,FQP7N60,SSW1N60B,FCH47N60,FQP3N60C,STS1HNK60,FQB12N60,FQPF12N60,SSW2N60B	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQPF8N60C	600V N-Channel MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	1122.64 Kbytes	共9頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQPF8N60C	N-Channel QFET?? MOSFET 600 V, 7.5 A, 1.2 ??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	829.76 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQPF8N60CF	600V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	755.01 Kbytes	共8頁(yè)	FCP4N60,FQB8N60CF,FCD7N60,STB10NK60Z,STW45NM60,STB11NM60FD,STW26NM60,FCP16N60,UK2996	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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FQPF8N60CYDTU	MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F-3	ON Semiconductor	984.79 Kbytes	共10頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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