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FQPF6N80C
規(guī)格信息：

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Id-連續(xù)漏極電流:5.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.5 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:51 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:QFET

封裝:Tube

高度:16.07 mm

長度:10.36 mm

系列:FQPF6N80C

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:4.9 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:5.4 S

下降時(shí)間:44 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:65 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:47 ns

典型接通延遲時(shí)間:26 ns

零件號別名:FQPF6N80C_NL

單位重量:2.270 g

FQPF6N80C

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