FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.3A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):31nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 25V
功率耗散(最大值):51W(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.95 歐姆 @ 1.65A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-220F
封裝/外殼:TO-220-3 整包
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
FQPF6N80
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| FQPF6N80 | 800V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 665.92 Kbytes | 共8頁 | STW12NK80Z,FQAF10N80,FQP5N80,STW18NK80Z,FQA10N80C,STP4NC80Z,FQAF13N80,FQP6N80,STP3NK80Z,FQP3N80C | 產(chǎn)品購買 | |||
| FQPF6N80C | N-Channel QFET?? MOSFET 800 V, 5.5 A, 2.5 ?? | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 1018.14 Kbytes | 共10頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FQPF6N80C | 800V N-Channel MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 889.91 Kbytes | 共10頁 | STW12NK80Z,FQAF10N80,FQP5N80,FQA10N80C,STP4NC80Z,FQAF13N80,FQP6N80,STW18NK80Z,FQP3N80C,STP4NC80ZFP | 產(chǎn)品購買 | |||
| FQPF6N80C | N-Channel QFET MOSFET | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 855.56 Kbytes | 共10頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FQPF6N80CT | N-Channel QFET?? MOSFET 800 V, 5.5 A, 2.5 ?? | FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor] | 1018.14 Kbytes | 共10頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
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| FQPF6N80T | MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F | ON Semiconductor | 552.11 Kbytes | 共10頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| FQPF6N80T | MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F | Fairchild Semiconductor | 552.11 Kbytes | 共10頁 | 產(chǎn)品購買 |
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