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FQPF6N80
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):800V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.3A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):31nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1500pF @ 25V

功率耗散(最大值):51W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.95 歐姆 @ 1.65A,10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-220F

封裝/外殼:TO-220-3 整包

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖FQPF6N80
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQPF6N80800V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)665.92 Kbytes共8頁FQPF6N80的PDF文件地址STW12NK80Z,FQAF10N80,FQP5N80,STW18NK80Z,FQA10N80C,STP4NC80Z,FQAF13N80,FQP6N80,STP3NK80Z,FQP3N80C FQPF6N80的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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FQPF6N80C800V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)889.91 Kbytes共10頁FQPF6N80C的PDF文件地址STW12NK80Z,FQAF10N80,FQP5N80,FQA10N80C,STP4NC80Z,FQAF13N80,FQP6N80,STW18NK80Z,FQP3N80C,STP4NC80ZFP FQPF6N80C的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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