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FQPF630
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Id-連續(xù)漏極電流:6.3 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:400 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:38 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:QFET

封裝:Tube

高度:16.07 mm

長(zhǎng)度:10.36 mm

系列:FQPF630

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

類(lèi)型:MOSFET

寬度:4.9 mm

商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:4.2 S

下降時(shí)間:64 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:75 ns

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:1000

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:47 ns

典型接通延遲時(shí)間:8 ns

零件號(hào)別名:FQPF630_NL

單位重量:2.270 g

介紹圖FQPF630
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠(chǎng)商廠(chǎng)商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
FQPF630200V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)765.36 Kbytes共8頁(yè)FQPF630的PDF文件地址STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQP4N20L,FQPF4N20,IRF630B,IRFW630B,BUZ32,IRFF210 FQPF630的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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