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FQPF7N80C
規(guī)格信息:

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220FP-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Id-連續(xù)漏極電流:6.6 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.9 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:56 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:QFET

封裝:Tube

高度:16.07 mm

長度:10.36 mm

系列:FQPF7N80C

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:4.9 mm

商標:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值:5.5 S

下降時間:60 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:100 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:50 ns

典型接通延遲時間:35 ns

單位重量:2.270 g

介紹圖FQPF7N80C
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQPF7N80C800V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)848.27 Kbytes共10頁FQPF7N80C的PDF文件地址STW12NK80Z,FQAF10N80,FQP5N80,FQA10N80C,STP4NC80Z,FQAF13N80,FQP6N80,STW18NK80Z,FQP3N80C,STP4NC80ZFP FQPF7N80C的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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