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FQPF8N60CF
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:6.26 A

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.5 Ohms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:48 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:64.5 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:60.5 ns

系列:FQPF8N60C

典型關(guān)閉延遲時間:81 ns

典型接通延遲時間:16.5 ns

介紹圖FQPF8N60CF
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
FQPF8N60CF600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)755.01 Kbytes共8頁FQPF8N60CF的PDF文件地址FCP4N60,FQB8N60CF,FCD7N60,STB10NK60Z,STW45NM60,STB11NM60FD,STW26NM60,FCP16N60,UK2996 FQPF8N60CF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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