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FQD18N20V2
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:15 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:140 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:62 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:133 ns

系列:FQD18N20V2

典型關(guān)閉延遲時間:38 ns

典型接通延遲時間:16 ns

FQD18N20V2

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQD18N20V2	200V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	615.0 Kbytes	共9頁	STD4N20,FDC2612,FQAF19N20L,FQB5N20L,FQD630,FQP5N20,FQPF4N20L,IRF630B,IRFW630B,BUZ32	產(chǎn)品購買
FQD18N20V2	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	737.24 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD18N20V2	N-Channel QFET MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	737.24 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD18N20V2	200V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	754.08 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD18N20V2_09	200V N-Channel MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	754.08 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD18N20V2_13	N-Channel QFET MOSFET	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	737.24 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD18N20V2TM	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 15 A, 140 mOhm	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	737.24 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
FQD18N20V2TM	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1010.28 Kbytes	共7頁		產(chǎn)品購買