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FQD17N08L
規(guī)格信息：

制造商:Fairchild Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:12.9 A

Vds-漏源極擊穿電壓:80 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:100 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標:Fairchild Semiconductor

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:75 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:290 ns

系列:FQD17N08

典型關(guān)閉延遲時間:20 ns

典型接通延遲時間:7 ns

FQD17N08L

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
FQD17N08L	N-Channel QFET MOSFET 80 V, 12.9 A, 100 m	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1214.85 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
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FQD17N08LTM	N-Channel QFET?? MOSFET 80 V, 12.9 A, 100 m??	FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]	1214.85 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買