系列：DMN
單位重量：74 mg
最大工作溫度：+ 150 C
最小工作溫度：- 55 C
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual
下降時(shí)間：4 ns
典型接通延遲時(shí)間：6.6 ns
上升時(shí)間：8.1 ns
Vgs-柵極-源極電壓：20 V
Pd-功率耗散：1.7 W
通道數(shù)量：2 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：5:00 AM
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
晶體管類型：2 N-Channel
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：55 mOhms
通道模式：Enhancement
晶體管極性：N-Channel
Qg-柵極電荷：22.4 nC
Vgsth-柵源極閾值電壓：3 V
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20.1 ns
正向跨導(dǎo)-最小值：4.5 S
FET類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：40 毫歐 @ 4.5A，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：22.4nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1287pF @ 25V
功率-最大值：1.3W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SO
封裝形式Package：SO
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：5A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs