制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:197 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3.4 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:75 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:300 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:4.7 mm
長度:9.25 mm
系列:CSD19535KTT
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:10.26 mm
商標(biāo):Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:301 S
下降時(shí)間:15 ns
濕度敏感性:Yes
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:18 ns
工廠包裝數(shù)量:500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:21 ns
典型接通延遲時(shí)間:9 ns
單位重量:2.200 g