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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:VSONP-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:12 A

Rds On-漏源導通電阻:12 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:11.1 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:66 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.9 mm

長度:3.15 mm

系列:CSD18543Q3A

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:3 mm

商標:Texas Instruments

正向跨導 - 最小值:40 S

下降時間:4 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:18 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:8 ns

典型接通延遲時間:9 ns

單位重量:27.700 mg