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CSD18537NQ5AT
規(guī)格信息:

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:VSONP-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Rds On-漏源導通電阻:13 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.6 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:14 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:75 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1 mm

長度:6 mm

系列:CSD18537NQ5A

晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET

類型:NexFET Power MOSFET

寬度:4.9 mm

商標:Texas Instruments

開發(fā)套件:TPS40170EVM-597

下降時間:3.2 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:4 ns

工廠包裝數(shù)量:250

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:14.4 ns

典型接通延遲時間:5.8 ns

單位重量:490 mg

介紹圖CSD18537NQ5AT
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
CSD18537NQ5AT60V N-Channel NexFET Power MOSFETs TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO-天天IC網(wǎng)699.6 Kbytes共14頁CSD18537NQ5AT的PDF文件地址 CSD18537NQ5AT的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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