������:Texas Instruments
�a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
RoHS:��
���g(sh��):Si
���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
���b / ���w:VSONP-8
ͨ����(sh��)��:1 Channel
���w�ܘO��:N-Channel
Vds-©Դ�O����늉�:60 V
Id-�B�m(x��)©�O���:100 A
Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:6.8 mOhms
Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1.7 V
Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:10 V
Qg-�ŘO늺�:15 nC
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 150 C
Pd-���ʺ�ɢ:116 W
����:Single
ͨ��ģʽ:Enhancement
�̘�(bi��o)��:NexFET
���b:Cut Tape
���b:MouseReel
���b:Reel
�߶�:1 mm
�L��:5.75 mm
�a(ch��n)Ʒ:Power MOSFET
ϵ��:CSD18563Q5A
���w�����:1 N-Channel Power MOSFET
���:60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
����:4.9 mm
�̘�(bi��o):Texas Instruments
�½��r�g:1.7 ns
�a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
�����r�g:6.3 ns
���S���b��(sh��)��:2500
��e:MOSFETs
�����P(gu��n)�]���t�r�g:11.4 ns
���ͽ�ͨ���t�r�g:3.2 ns
�����:86 mg