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制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:187 A
Rds On-漏源導通電阻:3.6 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:78 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:300 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:NexFET
封裝:Tube
高度:16.51 mm
長度:10.67 mm
系列:CSD19535KCS
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:4.7 mm
商標:Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:274 S
下降時間:5 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:15 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:60 ns
典型接通延遲時間:32 ns
單位重量:6 g
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