制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:VSONP-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9.4 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:27 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:96 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:1 mm
長度:6 mm
系列:CSD19533Q5A
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
寬度:4.9 mm
商標(biāo):Texas Instruments
下降時間:5 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:6 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:16 ns
典型接通延遲時間:6 ns