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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:200 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:5.6 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.6 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:44 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

配置:Single

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:19.7 mm

長度:9.25 mm

產(chǎn)品:Power MOSFET

系列:CSD19532KTT

晶體管類型:1 N-Channel

類型:N-Channel MOSFET

寬度:10.26 mm

商標:Texas Instruments

下降時間:2 ns

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:3 ns

工廠包裝數(shù)量:50

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:14 ns

典型接通延遲時間:9 ns

單位重量:2 g