產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：NexFET MOSFET Technology
視頻文件：PowerStack? Packaging Technology Overview
設(shè)計(jì)資源：Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
制造商產(chǎn)品頁：CSD16323Q3C Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：NexFET??
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：21A（Ta），60A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4.5 毫歐 @ 24A，8V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.4V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：8.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1300pF @ 12.5V
功率 - 最大值：3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-SON 裸露焊盤（3x3）
其它名稱：296-28096-2