制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DSBGA-6
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:12 V
Id-連續(xù)漏極電流:3.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:850 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Qg-柵極電荷:3.9 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.65 W
配置:Single
商標(biāo)名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.625 mm
長(zhǎng)度:1.5 mm
系列:CSD13303W1015
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
寬度:1 mm
商標(biāo):Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值:14 S
下降時(shí)間:3.2 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:10 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:3000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:14.7 ns
典型接通延遲時(shí)間:4.6 ns
單位重量:1.700 mg